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SIS184LDN-T1-GE3

SIS184LDN-T1-GE3

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Vishay Siliconix

N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE

非準拠

SIS184LDN-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.68000 $1.68
500 $1.6632 $831.6
1000 $1.6464 $1646.4
1500 $1.6296 $2444.4
2000 $1.6128 $3225.6
2500 $1.596 $3990
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 18.7A (Ta), 69.4A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 5.4mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 41 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1950 pF @ 30 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® 1212-8
パッケージ/ケース PowerPAK® 1212-8
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関連部品番号

SIR826DP-T1-RE3
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NTTFS6H860NTAG
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DMT6009LPS-13
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2SJ243(0)-T1-A
DMG7401SFG-13
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DMP6018LPS-13
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DI080N06PQ-AQ
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