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SIS407DN-T1-GE3

SIS407DN-T1-GE3

SIS407DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 25A PPAK1212-8

compliant

SIS407DN-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.47560 -
6,000 $0.45327 -
15,000 $0.43732 -
4372 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 25A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 1.8V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 93.8 nC @ 8 V
vgs (最大) ±8V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2760 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.6W (Ta), 33W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® 1212-8
パッケージ/ケース PowerPAK® 1212-8
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関連部品番号

SIRA52ADP-T1-RE3
SIRA52ADP-T1-RE3
$0 $/ピース
IRFD113PBF
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IRFZ48RPBF
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RJU003N03FRAT106
TSM4N90CZ C0G
TSM10NC65CF C0G
IXFP26N30X3
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$0 $/ピース
SIA447DJ-T1-GE3
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PMV100EPAR
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