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SIS435DNT-T1-GE3

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SIS435DNT-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 30A PPAK1212-8

compliant

SIS435DNT-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.33900 -
6,000 $0.31700 -
15,000 $0.30600 -
30,000 $0.30000 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 30A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 1.8V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 5.4mOhm @ 13A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 900mV @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 180 nC @ 8 V
vgs (最大) ±8V
入力容量(ciss)(最大)@vds 5700 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.7W (Ta), 39W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® 1212-8
パッケージ/ケース PowerPAK® 1212-8
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関連部品番号

PSMN027-100XS,127
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BUK965R4-40E,118
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NTD4906NA-35G
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ZVN4306A
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