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SIS903DN-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212

非準拠

SIS903DN-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.46494 -
6,000 $0.44311 -
15,000 $0.42752 -
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ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ 2 P-Channel (Dual)
FET機能 Standard
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 6A (Tc)
rds オン (最大) @ id、vgs 20.1mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 42nC @ 10V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2565pF @ 10V
パワー - 最大 2.6W (Ta), 23W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース PowerPAK® 1212-8 Dual
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® 1212-8 Dual
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