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SIS932EDN-T1-GE3

SIS932EDN-T1-GE3

SIS932EDN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8

compliant

SIS932EDN-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.25595 -
6,000 $0.24035 -
15,000 $0.22475 -
30,000 $0.21383 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET機能 Standard
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 6A (Tc)
rds オン (最大) @ id、vgs 22mOhm @ 10A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1.4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 14nC @ 4.5V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1000pF @ 15V
パワー - 最大 2.6W (Ta), 23W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース PowerPAK® 1212-8 Dual
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® 1212-8 Dual
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