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SISA26DN-T1-GE3

SISA26DN-T1-GE3

SISA26DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8S

compliant

SISA26DN-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.33814 -
6,000 $0.31482 -
15,000 $0.30316 -
30,000 $0.29680 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 25 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 60A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 2.65mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 44 nC @ 10 V
vgs (最大) +16V, -12V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2247 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 39W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® 1212-8
パッケージ/ケース PowerPAK® 1212-8
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関連部品番号

STW70N65DM6-4
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FDPF10N50FT
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2N7002NXAKR
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APT60M60JLL
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SI4116DY-T1-E3
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SI3493DDV-T1-GE3
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DMT3006LDK-7
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R6030JNZ4C13
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