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SISA40DN-T1-GE3

SISA40DN-T1-GE3

SISA40DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 43.7A/162A PPAK

compliant

SISA40DN-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.34324 -
6,000 $0.32096 -
15,000 $0.30983 -
30,000 $0.30375 -
14376 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 43.7A (Ta), 162A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 2.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.1mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 1.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 53 nC @ 10 V
vgs (最大) +12V, -8V
入力容量(ciss)(最大)@vds 3415 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® 1212-8
パッケージ/ケース PowerPAK® 1212-8
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