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SISH108DN-T1-GE3

SISH108DN-T1-GE3

SISH108DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8SH

compliant

SISH108DN-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.20090 -
6,000 $0.18865 -
15,000 $0.17641 -
30,000 $0.16784 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 14A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 4.9mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 30 nC @ 4.5 V
vgs (最大) ±16V
入力容量(ciss)(最大)@vds -
FET機能 -
消費電力(最大) 1.5W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® 1212-8SH
パッケージ/ケース PowerPAK® 1212-8SH
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関連部品番号

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