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SISH110DN-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK

非準拠

SISH110DN-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.73800 -
6,000 $0.70335 -
15,000 $0.67860 -
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ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 13.5A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 5.3mOhm @ 21.1A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 21 nC @ 4.5 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds -
FET機能 -
消費電力(最大) 1.5W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® 1212-8SH
パッケージ/ケース PowerPAK® 1212-8SH
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