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SISH129DN-T1-GE3

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SISH129DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 14.4A/35A PPAK

compliant

SISH129DN-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.44067 -
6,000 $0.41998 -
15,000 $0.40520 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 14.4A (Ta), 35A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 11.4mOhm @ 14.4A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.8V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 71 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 3345 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
動作温度 -50°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® 1212-8SH
パッケージ/ケース PowerPAK® 1212-8SH
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関連部品番号

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