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SISH434DN-T1-GE3

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SISH434DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 17.6A/35A PPAK

compliant

SISH434DN-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.55432 -
6,000 $0.52829 -
15,000 $0.50970 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 40 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 17.6A (Ta), 35A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 7.6mOhm @ 16.2A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 40 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1530 pF @ 20 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.8W (Ta), 52W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® 1212-8SH
パッケージ/ケース PowerPAK® 1212-8SH
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関連部品番号

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NVMFS015N10MCLT1G
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