ichome.comへようこそ!

logo

SISH615ADN-T1-GE3

SISH615ADN-T1-GE3

SISH615ADN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 22.1A/35A PPAK

非準拠

SISH615ADN-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.25425 -
6,000 $0.23775 -
15,000 $0.22950 -
30,000 $0.22500 -
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 22.1A (Ta), 35A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 2.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 4.4mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 1.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 183 nC @ 10 V
vgs (最大) ±12V
入力容量(ciss)(最大)@vds 5590 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® 1212-8SH
パッケージ/ケース PowerPAK® 1212-8SH
PDFの読み込みに失敗しました。新しいウィンドウで開いてアクセスしてみてください。 [開ける], またはクリックして戻る

関連部品番号

IRFR3709ZTRLPBF
IPP100N06S205AKSA1
IRFR120TRRPBF-BE3
IRFR120TRRPBF-BE3
$0 $/ピース
NTD4970N-1G
NTD4970N-1G
$0 $/ピース
PSMN005-75B,118
PSMN005-75B,118
$0 $/ピース
BSZ013NE2LS5IATMA1
DMP610DLQ-7
DMP610DLQ-7
$0 $/ピース
FQB9N25CTM
FQB9N25CTM
$0 $/ピース
SQJQ186ER-T1_GE3
SQJQ186ER-T1_GE3
$0 $/ピース
IXTH300N04T2
IXTH300N04T2
$0 $/ピース

エレクトロニクス分野の信頼できるパートナー

お客様の期待を上回ることに専念。 IChome: エレクトロニクス業界向けに再定義されたカスタマー サービス。