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SISHA04DN-T1-GE3

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SISHA04DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 30.9A/40A PPAK

compliant

SISHA04DN-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.00000 $1
500 $0.99 $495
1000 $0.98 $980
1500 $0.97 $1455
2000 $0.96 $1920
2500 $0.95 $2375
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 30.9A (Ta), 40A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 2.15mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 77 nC @ 10 V
vgs (最大) +20V, -16V
入力容量(ciss)(最大)@vds 3595 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® 1212-8SH
パッケージ/ケース PowerPAK® 1212-8SH
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関連部品番号

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