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SISS02DN-T1-GE3

SISS02DN-T1-GE3

SISS02DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 25V 51A/80A PPAK

compliant

SISS02DN-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.71963 -
6,000 $0.68585 -
15,000 $0.66171 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 25 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 51A (Ta), 80A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.2mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 83 nC @ 10 V
vgs (最大) +16V, -12V
入力容量(ciss)(最大)@vds 4450 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 5W (Ta), 65.7W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® 1212-8S
パッケージ/ケース PowerPAK® 1212-8S
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関連部品番号

2SK4065-DL-1E
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$0 $/ピース
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NVMYS021N06CLTWG
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$0 $/ピース
IRF3805STRLPBF
FQD2P40TM
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$0 $/ピース
DMP3068LVT-13
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SIHP22N65E-GE3
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SIR120DP-T1-RE3
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$0 $/ピース
BSZ0501NSIATMA1
RJK0348DSP-00#J0

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