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SISS28DN-T1-GE3

SISS28DN-T1-GE3

SISS28DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8S

SOT-23

非準拠

SISS28DN-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.43624 -
6,000 $0.41576 -
15,000 $0.40113 -
26 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 25 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 60A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.52mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 35 nC @ 4.5 V
vgs (最大) +20V, -16V
入力容量(ciss)(最大)@vds 3640 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 57W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® 1212-8S
パッケージ/ケース PowerPAK® 1212-8S
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関連部品番号

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DMN24H3D5L-7
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DMP2035UFDF-13
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