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SISS32LDN-T1-GE3

SISS32LDN-T1-GE3

SISS32LDN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK

compliant

SISS32LDN-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.26000 $1.26
500 $1.2474 $623.7
1000 $1.2348 $1234.8
1500 $1.2222 $1833.3
2000 $1.2096 $2419.2
2500 $1.197 $2992.5
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 80 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 17.4A (Ta), 63A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 7.2mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 57 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2550 pF @ 40 V
FET機能 -
消費電力(最大) 5W (Ta), 65.7W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® 1212-8SH
パッケージ/ケース PowerPAK® 1212-8SH
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関連部品番号

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