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SISS42LDN-T1-GE3

SISS42LDN-T1-GE3

SISS42LDN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 11.3A/39A PPAK

非準拠

SISS42LDN-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.36000 $1.36
500 $1.3464 $673.2
1000 $1.3328 $1332.8
1500 $1.3192 $1978.8
2000 $1.3056 $2611.2
2500 $1.292 $3230
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 11.3A (Ta), 39A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 14.9mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 48 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2058 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 4.8W (Ta), 57W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® 1212-8S
パッケージ/ケース PowerPAK® 1212-8S
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