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SISS63DN-T1-GE3

SISS63DN-T1-GE3

SISS63DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 35.1/127.5A PPAK

非準拠

SISS63DN-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.05000 $1.05
500 $1.0395 $519.75
1000 $1.029 $1029
1500 $1.0185 $1527.75
2000 $1.008 $2016
2500 $0.9975 $2493.75
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 35.1A (Ta), 127.5A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 2.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 2.7mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 1.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 236 nC @ 8 V
vgs (最大) ±12V
入力容量(ciss)(最大)@vds 7080 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 5W (Ta), 65.8W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® 1212-8S
パッケージ/ケース PowerPAK® 1212-8S
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関連部品番号

NP80N04NHE-S18-AY
BSC13DN30NSFDATMA1
IPD135N08N3GATMA1
RQ6E035SPTR
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$0 $/ピース
IXTX90N25L2
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$0 $/ピース
APT41M80L
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$0 $/ピース
SIRA24DP-T1-GE3
SIRA24DP-T1-GE3
$0 $/ピース
RM8A5P60S8
RM8A5P60S8
$0 $/ピース
FDD6690S
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$0 $/ピース
SISS27DN-T1-GE3
SISS27DN-T1-GE3
$0 $/ピース

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