ichome.comへようこそ!

logo

SISS73DN-T1-GE3

SISS73DN-T1-GE3

SISS73DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 150V 4.4A/16.2A PPAK

compliant

SISS73DN-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.58000 $1.58
500 $1.5642 $782.1
1000 $1.5484 $1548.4
1500 $1.5326 $2298.9
2000 $1.5168 $3033.6
2500 $1.501 $3752.5
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 150 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 4.4A (Ta), 16.2A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 125mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 22 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 719 pF @ 75 V
FET機能 -
消費電力(最大) 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® 1212-8S
パッケージ/ケース PowerPAK® 1212-8S
PDFの読み込みに失敗しました。新しいウィンドウで開いてアクセスしてみてください。 [開ける], またはクリックして戻る

関連部品番号

FCH76N60N
FCH76N60N
$0 $/ピース
AOTF8N50
APT14M100B
APT14M100B
$0 $/ピース
NTHD4N02FT1G
NTHD4N02FT1G
$0 $/ピース
UF3SC065007K4S
UF3SC065007K4S
$0 $/ピース
NTE2396
NTE2396
$0 $/ピース
STP100N10F7
STP100N10F7
$0 $/ピース
SIHB6N65E-GE3
SIHB6N65E-GE3
$0 $/ピース
TN5325N3-G-P002
PMPB50ENEA115
PMPB50ENEA115
$0 $/ピース

エレクトロニクス分野の信頼できるパートナー

お客様の期待を上回ることに専念。 IChome: エレクトロニクス業界向けに再定義されたカスタマー サービス。