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SIUD412ED-T1-GE3

SIUD412ED-T1-GE3

SIUD412ED-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 12V 500MA PPAK 0806

compliant

SIUD412ED-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.07469 -
6,000 $0.06532 -
15,000 $0.05595 -
30,000 $0.05282 -
75,000 $0.04970 -
150,000 $0.04345 -
2061 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 12 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 500mA (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 1.2V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 340mOhm @ 500mA, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 900mV @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 0.71 nC @ 4.5 V
vgs (最大) ±5V
入力容量(ciss)(最大)@vds 21 pF @ 6 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.25W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® 0806
パッケージ/ケース PowerPAK® 0806
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