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SIZF906BDT-T1-GE3

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Vishay Siliconix

DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET

非準拠

SIZF906BDT-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.73000 $1.73
500 $1.7127 $856.35
1000 $1.6954 $1695.4
1500 $1.6781 $2517.15
2000 $1.6608 $3321.6
2500 $1.6435 $4108.75
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual), Schottky
FET機能 Standard
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 36A (Ta), 105A (Tc), 63A (Ta), 257A (Tc)
rds オン (最大) @ id、vgs 2.1mOhm @ 15A, 10V, 680µOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 49nC @ 10V, 165nC @ 10V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1630pF @ 15V, 5550pF @ 15V
パワー - 最大 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-PowerWDFN
サプライヤーデバイスパッケージ 8-PowerPair® (6x5)
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関連部品番号

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