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SIZF906DT-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR

compliant

SIZF906DT-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.74228 -
6,000 $0.70517 -
6000 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Half Bridge)
FET機能 Standard
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 60A (Tc)
rds オン (最大) @ id、vgs 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
パワー - 最大 38W (Tc), 83W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TA)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-PowerWDFN
サプライヤーデバイスパッケージ 8-PowerPair® (6x5)
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