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SQ2310ES-T1_GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 6A TO236

非準拠

SQ2310ES-T1_GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.32036 -
6,000 $0.29957 -
15,000 $0.28917 -
30,000 $0.28350 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 6A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 1.5V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 30mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 8.5 nC @ 4.5 V
vgs (最大) ±8V
入力容量(ciss)(最大)@vds 485 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-23-3 (TO-236)
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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