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SQ2318BES-T1_GE3

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SQ2318BES-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3

SOT-23

非準拠

SQ2318BES-T1_GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.57000 $0.57
500 $0.5643 $282.15
1000 $0.5586 $558.6
1500 $0.5529 $829.35
2000 $0.5472 $1094.4
2500 $0.5415 $1353.75
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 40 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 8A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 26.3mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 9.4 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 500 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-23-3 (TO-236)
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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