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SQ3419EV-T1_GE3

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SQ3419EV-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP

非準拠

SQ3419EV-T1_GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.25992 -
6,000 $0.24408 -
15,000 $0.22824 -
30,000 $0.21715 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 40 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 6.9A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 58mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 11.3 nC @ 4.5 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 990 pF @ 20 V
FET機能 -
消費電力(最大) 5W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 6-TSOP
パッケージ/ケース SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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関連部品番号

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