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SQD50N06-09L_GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 50A TO252

非準拠

SQD50N06-09L_GE3 価格と注文

単価 外貨価格
2,000 $2.39932 -
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 50A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 9mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 72 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 3065 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 136W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252AA
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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