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SQD50N10-8M9L_GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 50A TO252AA

非準拠

SQD50N10-8M9L_GE3 価格と注文

単価 外貨価格
2,000 $0.72072 -
6,000 $0.68468 -
10,000 $0.65894 -
0 items
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 50A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 8.9mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 70 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2950 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 136W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252AA
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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