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SQJ150EP-T1_GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 66A PPAK SO-8

非準拠

SQJ150EP-T1_GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.89000 $0.89
500 $0.8811 $440.55
1000 $0.8722 $872.2
1500 $0.8633 $1294.95
2000 $0.8544 $1708.8
2500 $0.8455 $2113.75
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 40 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 66A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 8.4mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 20 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1274 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 65W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
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関連部品番号

RF1S25N06SM9A
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SIS4604DN-T1-GE3
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SIHD14N60ET1-GE3
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NTB7D3N15MC
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DMTH6009SPS-13
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