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SQJ200EP-T1_GE3

SQJ200EP-T1_GE3

SQJ200EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO

非準拠

SQJ200EP-T1_GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.47232 -
6,000 $0.45014 -
15,000 $0.43430 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET機能 Standard
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 20A, 60A
rds オン (最大) @ id、vgs 8.8mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 18nC @ 10V
入力容量(ciss)(最大)@vds 975pF @ 10V
パワー - 最大 27W, 48W
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8 Dual
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
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