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| 名前 | 価値 |
|---|---|
| 製品ステータス | Active |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET機能 | Standard |
| ドレイン-ソース電圧 (vdss) | 60V |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c | 20A (Tc), 54A (Tc) |
| rds オン (最大) @ id、vgs | 20mOhm @ 6A, 10V, 8.6mOhm @ 10A, 10V |
| vgs(th) (最大) @ id | 3.5V @ 250µA |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs | 16nC @ 10V, 32nC @ 10V |
| 入力容量（ciss）（最大）@vds | 1000pF @ 25V, 2100pF @ 25V |
| パワー - 最大 | 27W (Tc), 48W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取り付けタイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 Dual |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
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