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SQJ402EP-T1_BE3

SQJ402EP-T1_BE3

SQJ402EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE

非準拠

SQJ402EP-T1_BE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.65000 $1.65
500 $1.6335 $816.75
1000 $1.617 $1617
1500 $1.6005 $2400.75
2000 $1.584 $3168
2500 $1.5675 $3918.75
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 32A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 11mOhm @ 10.7A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 51 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2286 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 83W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
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