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SQJ415EP-T1_BE3

SQJ415EP-T1_BE3

SQJ415EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

非準拠

SQJ415EP-T1_BE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.05000 $1.05
500 $1.0395 $519.75
1000 $1.029 $1029
1500 $1.0185 $1527.75
2000 $1.008 $2016
2500 $0.9975 $2493.75
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 40 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 30A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 14mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 95 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 6000 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 45W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
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関連部品番号

SI2309CDS-T1-BE3
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DMN53D0U-13
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HUF76423P3
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G75P04K
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$0 $/ピース
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SQJA80EP-T1_GE3
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NTD50N03RG
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DMP1022UFDF-7
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IXTT88N30P
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$0 $/ピース

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