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SQJB70EP-T1_GE3

SQJB70EP-T1_GE3

SQJB70EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8

compliant

SQJB70EP-T1_GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.38646 -
6,000 $0.36138 -
15,000 $0.34884 -
30,000 $0.34200 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET機能 Standard
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 11.3A (Tc)
rds オン (最大) @ id、vgs 95mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 7nC @ 10V
入力容量(ciss)(最大)@vds 220pF @ 25V
パワー - 最大 27W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8 Dual
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8 Dual
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