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SQJQ112E-T1_GE3

SQJQ112E-T1_GE3

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Vishay Siliconix

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)

非準拠

SQJQ112E-T1_GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $3.84000 $3.84
500 $3.8016 $1900.8
1000 $3.7632 $3763.2
1500 $3.7248 $5587.2
2000 $3.6864 $7372.8
2500 $3.648 $9120
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 296A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 2.53mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 272 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 15945 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 600W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® 8 x 8
パッケージ/ケース PowerPAK® 8 x 8
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関連部品番号

BUK653R4-40C,127
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IRF7240TRPBF
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NVMYS8D0N04CTWG
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PSMNR90-30BL,118
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