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SQJQ112ER-T1_GE3

SQJQ112ER-T1_GE3

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Vishay Siliconix

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)

compliant

SQJQ112ER-T1_GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $4.05000 $4.05
500 $4.0095 $2004.75
1000 $3.969 $3969
1500 $3.9285 $5892.75
2000 $3.888 $7776
2500 $3.8475 $9618.75
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 296A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 2.53mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 272 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 15945 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 600W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® 8 x 8
パッケージ/ケース 8-PowerSMD, Gull Wing
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関連部品番号

IPW65R115CFD7AXKSA1
EPC2031
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ZXM61P03FTA
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DMP3099LQ-13
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$0 $/ピース
RJK0393DPA-00#J53
PHB18NQ10T,118
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$0 $/ピース
HUFA75329G3
SCT3080KLGC11
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$0 $/ピース
TK16A60W,S4VX
SI3443BDV-T1-BE3
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$0 $/ピース

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