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SQJQ186E-T1_GE3

SQJQ186E-T1_GE3

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Vishay Siliconix

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)

compliant

SQJQ186E-T1_GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $3.15000 $3.15
500 $3.1185 $1559.25
1000 $3.087 $3087
1500 $3.0555 $4583.25
2000 $3.024 $6048
2500 $2.9925 $7481.25
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 80 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 245A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 2.3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 185 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 10552 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 357W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® 8 x 8
パッケージ/ケース PowerPAK® 8 x 8
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関連部品番号

MCU80N03-TP
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IPS60R2K1CEAKMA1
PJS6461_S1_00001
STB36N60M6
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IXFA26N30X3
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C3M0021120K
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$0 $/ピース
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IXFA130N15X3TRL
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IXTA160N10T7
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BUK9608-55B,118
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