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SQM110N05-06L_GE3

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SQM110N05-06L_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 55V 110A TO263

SOT-23

非準拠

SQM110N05-06L_GE3 価格と注文

単価 外貨価格
800 $1.56420 $1251.36
1,600 $1.43550 -
2,400 $1.33650 -
5,600 $1.28700 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 55 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 110A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 6mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 110 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 4440 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 157W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-263 (D²Pak)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

DMTH8012LK3-13
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SISS26DN-T1-GE3
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R8002KNXC7G
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IRFR120TRPBF
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STW23N80K5
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NTMFS4C03NT3G
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FCP380N60
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