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SQM120N04-1M9_GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 120A TO263

compliant

SQM120N04-1M9_GE3 価格と注文

単価 外貨価格
800 $1.65000 $1320
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 40 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 120A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.9mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 270 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 8790 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 300W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-263 (D²Pak)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

SIDR402DP-T1-GE3
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$0 $/ピース
BUK9Y41-80E,115
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2SK1459LS
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FDD86369-F085
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IRFR430ATRLPBF
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PJQ2460_R1_00001
RD3T075CNTL1
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NDB4060
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NVH4L045N065SC1
NVH4L045N065SC1
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DMT6004SCT
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