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SQS407ENW-T1_GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8W

非準拠

SQS407ENW-T1_GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.41697 -
6,000 $0.38991 -
15,000 $0.37638 -
0 items
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 16A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 10.8mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 77 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 4572 pF @ 20 V
FET機能 -
消費電力(最大) 62.5W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® 1212-8W
パッケージ/ケース PowerPAK® 1212-8W
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関連部品番号

NTMFS4C09NT1G
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$0 $/ピース
TPH9R00CQH,LQ
IAUC100N10S5L040ATMA1
TK55S10N1,LXHQ
FQA160N08
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IRFR4105ZTRPBF
SI3456DDV-T1-GE3
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$0 $/ピース
RJK6026DPP-E0#T2
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STD15NF10T4
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$0 $/ピース

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