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VQ1001P-E3

VQ1001P-E3

VQ1001P-E3

Vishay Siliconix

MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP

compliant

VQ1001P-E3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ 4 N-Channel
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 830mA
rds オン (最大) @ id、vgs 1.75Ohm @ 200mA, 5V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs -
入力容量(ciss)(最大)@vds 110pF @ 15V
パワー - 最大 2W
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
パッケージ/ケース -
サプライヤーデバイスパッケージ 14-DIP
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関連部品番号

FDMC8298
FDMC8298
$0 $/ピース
DMN3012LFG-13
DMN3012LFG-13
$0 $/ピース
GWM160-0055X1-SMD
GWM160-0055X1-SMD
$0 $/ピース

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