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BYV30JT-600PQ

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WeEn Semiconductors

DIODE GEN PURP 600V 30A TO-3P

非準拠

BYV30JT-600PQ 価格と注文

単価 外貨価格
2,400 $0.84000 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
ダイオード型 Standard
電圧 - 直流逆電圧 (vr) (最大) 600 V
電流 - 平均整流 (io) 30A
電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if 1.8 V @ 30 A
スピード Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間 (trr) 65 ns
電流 - 逆方向漏れ @ vr 10 µA @ 600 V
静電容量 @ vr、f -
取り付けタイプ Through Hole
パッケージ/ケース TO-3P-3, SC-65-3
サプライヤーデバイスパッケージ TO-3P
動作温度 - 接合部 175°C (Max)
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関連部品番号

MSASC75H45FX/TR
CDBMTS230-HF
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PMEG4005EGW,118
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CDBZ0130R-A1HF
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