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NXPSC12650B6J

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WeEn Semiconductors

SILICON CARBIDE POWER DIODE

compliant

NXPSC12650B6J 価格と注文

単価 外貨価格
1 $6.86000 $6.86
500 $6.7914 $3395.7
1000 $6.7228 $6722.8
1500 $6.6542 $9981.3
2000 $6.5856 $13171.2
2500 $6.517 $16292.5
6298 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
ダイオード型 Silicon Carbide Schottky
電圧 - 直流逆電圧 (vr) (最大) 650 V
電流 - 平均整流 (io) 12A
電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if 1.7 V @ 12 A
スピード No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間 (trr) 0 ns
電流 - 逆方向漏れ @ vr 80 µA @ 650 V
静電容量 @ vr、f 380pF @ 1V, 1MHz
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ D2PAK
動作温度 - 接合部 175°C (Max)
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関連部品番号

5821SMGE3/TR13
AES2GF-HF
AES2GF-HF
$0 $/ピース
ES8CC-HF
ES8CC-HF
$0 $/ピース
DCG10P1200HR
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$0 $/ピース
UF3002-HF
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$0 $/ピース
AU01AWS
AU01AWS
$0 $/ピース
SJPJ-L3
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$0 $/ピース
M0659LC450
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$0 $/ピース

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