ichome.comへようこそ!

logo

NXPSC166506Q

NXPSC166506Q

NXPSC166506Q

WeEn Semiconductors

SILICON CARBIDE POWER DIODE

compliant

NXPSC166506Q 価格と注文

単価 外貨価格
1 $6.72000 $6.72
500 $6.6528 $3326.4
1000 $6.5856 $6585.6
1500 $6.5184 $9777.6
2000 $6.4512 $12902.4
2500 $6.384 $15960
3013 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
ダイオード型 Silicon Carbide Schottky
電圧 - 直流逆電圧 (vr) (最大) 650 V
電流 - 平均整流 (io) 16A
電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if 1.7 V @ 16 A
スピード No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間 (trr) 0 ns
電流 - 逆方向漏れ @ vr 100 µA @ 650 V
静電容量 @ vr、f 534pF @ 1V, 1MHz
取り付けタイプ Through Hole
パッケージ/ケース TO-220-2
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220AC
動作温度 - 接合部 175°C (Max)
PDFの読み込みに失敗しました。新しいウィンドウで開いてアクセスしてみてください。 [開ける], またはクリックして戻る

関連部品番号

GS1R-LTP
GS1R-LTP
$0 $/ピース
MBR120VLSFT1G
MBR120VLSFT1G
$0 $/ピース
ES1DL M2G
JANTXV1N4500
JANTXV1N4500
$0 $/ピース
SK510C V7G
PG4937_R2_00001
ER1E_R1_00001

エレクトロニクス分野の信頼できるパートナー

お客様の期待を上回ることに専念。 IChome: エレクトロニクス業界向けに再定義されたカスタマー サービス。