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NXPSC16650B6J

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WeEn Semiconductors

SILICON CARBIDE POWER DIODE

非準拠

NXPSC16650B6J 価格と注文

単価 外貨価格
1 $6.86000 $6.86
500 $6.7914 $3395.7
1000 $6.7228 $6722.8
1500 $6.6542 $9981.3
2000 $6.5856 $13171.2
2500 $6.517 $16292.5
3194 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
ダイオード型 Silicon Carbide Schottky
電圧 - 直流逆電圧 (vr) (最大) 650 V
電流 - 平均整流 (io) 16A
電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if 1.7 V @ 16 A
スピード No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間 (trr) 0 ns
電流 - 逆方向漏れ @ vr 100 µA @ 650 V
静電容量 @ vr、f 534pF @ 1V, 1MHz
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ D2PAK
動作温度 - 接合部 175°C (Max)
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関連部品番号

WND45P16WQ
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$0 $/ピース
1N4943/TR
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$0 $/ピース
RM 2CV
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$0 $/ピース
HER101G-TP
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UFS340G/TR13
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R4210
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$0 $/ピース
JAN1N6874UTK2CS/TR

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