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WNSC08650T6J

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WeEn Semiconductors

SILICON CARBIDE POWER DIODE

SOT-23

非準拠

WNSC08650T6J 価格と注文

単価 外貨価格
1 $3.24000 $3.24
500 $3.2076 $1603.8
1000 $3.1752 $3175.2
1500 $3.1428 $4714.2
2000 $3.1104 $6220.8
2500 $3.078 $7695
2876 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
ダイオード型 Silicon Carbide Schottky
電圧 - 直流逆電圧 (vr) (最大) 650 V
電流 - 平均整流 (io) 8A
電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if 1.7 V @ 8 A
スピード No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間 (trr) 0 ns
電流 - 逆方向漏れ @ vr 50 µA @ 650 V
静電容量 @ vr、f 267pF @ 1V, 1MHz
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 4-VSFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ 5-DFN (8x8)
動作温度 - 接合部 175°C (Max)
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関連部品番号

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