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WNSC101200CWQ

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WeEn Semiconductors

SILICON CARBIDE POWER DIODE

非準拠

WNSC101200CWQ 価格と注文

単価 外貨価格
1 $6.65888 $6.65888
500 $6.5922912 $3296.1456
1000 $6.5257024 $6525.7024
1500 $6.4591136 $9688.6704
2000 $6.3925248 $12785.0496
2500 $6.325936 $15814.84
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
ダイオード型 Silicon Carbide Schottky
電圧 - 直流逆電圧 (vr) (最大) 1200 V
電流 - 平均整流 (io) 10A
電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if 1.6 V @ 5 A
スピード No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間 (trr) 0 ns
電流 - 逆方向漏れ @ vr 50 µA @ 1200 V
静電容量 @ vr、f 250pF @ 1V, 1MHz
取り付けタイプ Through Hole
パッケージ/ケース TO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージ TO-247-3
動作温度 - 接合部 175°C (Max)
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CDLL5819/TR
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