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WNSC10650T6J

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WeEn Semiconductors

SILICON CARBIDE POWER DIODE

compliant

WNSC10650T6J 価格と注文

単価 外貨価格
1 $3.68000 $3.68
500 $3.6432 $1821.6
1000 $3.6064 $3606.4
1500 $3.5696 $5354.4
2000 $3.5328 $7065.6
2500 $3.496 $8740
2940 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
ダイオード型 Silicon Carbide Schottky
電圧 - 直流逆電圧 (vr) (最大) 650 V
電流 - 平均整流 (io) 10A
電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if 1.7 V @ 10 A
スピード No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間 (trr) 0 ns
電流 - 逆方向漏れ @ vr 60 µA @ 650 V
静電容量 @ vr、f 328pF @ 1V, 1MHz
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 4-VSFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ 5-DFN (8x8)
動作温度 - 接合部 175°C (Max)
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関連部品番号

SMMSD914T1G
SMMSD914T1G
$0 $/ピース
RHRP30120-F102
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$0 $/ピース
SCS210KGC
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$0 $/ピース
MBR1045_T0_00001
FFSH3065A
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$0 $/ピース
PG101R_R2_00001
BAV20W RHG
MUR560M_AY_00001
1N1346RA
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$0 $/ピース
NRVTS10100EMFST1G
NRVTS10100EMFST1G
$0 $/ピース

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