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WNSC201200CWQ

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WeEn Semiconductors

SILICON CARBIDE POWER DIODE

SOT-23

非準拠

WNSC201200CWQ 価格と注文

単価 外貨価格
1 $10.17163 $10.17163
500 $10.0699137 $5034.95685
1000 $9.9681974 $9968.1974
1500 $9.8664811 $14799.72165
2000 $9.7647648 $19529.5296
2500 $9.6630485 $24157.62125
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
ダイオード型 Silicon Carbide Schottky
電圧 - 直流逆電圧 (vr) (最大) 1200 V
電流 - 平均整流 (io) 20A
電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if 1.6 V @ 10 A
スピード No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間 (trr) 0 ns
電流 - 逆方向漏れ @ vr 110 µA @ 1200 V
静電容量 @ vr、f 510pF @ 1V, 1MHz
取り付けタイプ Through Hole
パッケージ/ケース TO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージ TO-247-3
動作温度 - 接合部 175°C (Max)
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関連部品番号

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