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WNSC201200WQ

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WeEn Semiconductors

SILICON CARBIDE POWER DIODE

compliant

WNSC201200WQ 価格と注文

単価 外貨価格
1 $9.67670 $9.6767
500 $9.579933 $4789.9665
1000 $9.483166 $9483.166
1500 $9.386399 $14079.5985
2000 $9.289632 $18579.264
2500 $9.192865 $22982.1625
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
ダイオード型 Silicon Carbide Schottky
電圧 - 直流逆電圧 (vr) (最大) 1200 V
電流 - 平均整流 (io) 20A
電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if 1.6 V @ 20 A
スピード No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間 (trr) 0 ns
電流 - 逆方向漏れ @ vr 220 µA @ 1200 V
静電容量 @ vr、f 1.02nF @ 1V, 1MHz
取り付けタイプ Through Hole
パッケージ/ケース TO-247-2
サプライヤーデバイスパッケージ TO-247-2
動作温度 - 接合部 175°C (Max)
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関連部品番号

1N1201R
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GN2MT/R
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JAN1N6627U/TR
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R306030F
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1N4500E3
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W108CED180
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