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WNSC2D08650TJ

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WeEn Semiconductors

SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE

非準拠

WNSC2D08650TJ 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.23000 $1.23
500 $1.2177 $608.85
1000 $1.2054 $1205.4
1500 $1.1931 $1789.65
2000 $1.1808 $2361.6
2500 $1.1685 $2921.25
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
ダイオード型 Silicon Carbide Schottky
電圧 - 直流逆電圧 (vr) (最大) 650 V
電流 - 平均整流 (io) 8A
電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if 1.7 V @ 8 A
スピード No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間 (trr) 0 ns
電流 - 逆方向漏れ @ vr 40 µA @ 650 V
静電容量 @ vr、f 260pF @ 1V, 1MHz
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 4-VSFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ 5-DFN (8x8)
動作温度 - 接合部 175°C
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関連部品番号

1N6858-1
1N6858-1
$0 $/ピース
R7203006XXOO
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W4693QK050
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A170RPD
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SD200SA30B.T
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STPS2H100AFY
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RH 1ZV
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USD535
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AU02AV0
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